蓋世汽車訊 據(jù)外媒報道，半導體公司Transphorm宣布推出其1200 V FET仿真模型和初步數(shù)據(jù)表：TP120H070WS FET，這也是是迄今為止推出的唯一一款1200 V GaN-on-Sapphire功率半導體。
圖片來源：Transphorm
此次發(fā)布表明Transphorm有能力支持未來的汽車電源系統(tǒng)，以及通常用于廣泛的工業(yè)、數(shù)據(jù)通信和可再生能源市場的三相電源系統(tǒng)。這些應用將受益于1200 V GaN器件更高的功率密度和可靠性，以及更好的性能（與替代技術相比）。
來源：蓋世汽車
作者：劉麗婷
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