1月17日，韓國(guó)KAIST學(xué)者KimJung-Ho在論壇研討會(huì)上表示，HBF高帶寬閃存的發(fā)展速度將超過HBM高帶寬內(nèi)存。存儲(chǔ)原廠在HBM開發(fā)中積累的技術(shù)將加速HBF標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程。AI發(fā)展導(dǎo)致HBM容量難以滿足數(shù)據(jù)需求，HBF帶寬預(yù)計(jì)將超過1638GB/s，容量達(dá)到512GB。

SK海力士、三星電子和閃迪正在合作推動(dòng)HBF標(biāo)準(zhǔn)化。SK海力士計(jì)劃本月展示HBF早期測(cè)試版本，三星和閃迪則目標(biāo)在2027年底至2028年初將HBF應(yīng)用于英偉達(dá)、AMD、谷歌的AIXPU。HBF廣泛應(yīng)用需待HBM6發(fā)布，屆時(shí)單個(gè)裸片將集成多組存儲(chǔ)堆棧。

KimJung-Ho認(rèn)為，HBM與HBF的關(guān)系類似于書房與圖書館。HBM容量小、使用方便，而HBF容量大、延遲高。針對(duì)NAND閃存與DRAM內(nèi)存的差異，軟件工程師需優(yōu)化HBF數(shù)據(jù)操作算法，減少寫入次數(shù)。