全球最大的功率半導體年度盛會,PCIM Europe 2023,已于5月9日至11日在德國紐倫堡舉辦。經觀察,本年度盛會與中國、汽車相關的展商增多,尤其是采用了碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等新一代材料的產品。
據官方統(tǒng)計,2023年PCIM參展商數量達到507家,恢復到新冠前的水平。展覽面積約3萬㎡,是1979年以來最大規(guī)模的一屆。展示范圍從半導體、元器件、驅動控制、電源管理、封裝技術到終端系統(tǒng),涵蓋整個生態(tài)鏈。

“汽車色彩”越來越重
近年來,由于電動汽車(EV)市場的快速增長,PCIM的車載功率器件展品數量有所增 加。 這一次,可以毫不夸張地說,汽車應用發(fā)揮了主導作用。
博世、大眾等汽車行業(yè)的大公司也參展,PCIM中的“汽車色彩”正在增加。
博世展出了全面的電動汽車解決方案,從功率器件到eAxle等完整系統(tǒng)解決方案,如750V和1200V 的SiC功率器件、SiC B6功率模塊、適用于400 V 和 800 V的第四代逆變器等。該公司不僅將把旗下功率半導體產品用于自家的逆變器,還將對外銷售給其他公司。

大眾展出的主要目的是獲取人才。大眾汽車集團零部件電驅動和變速器技術開發(fā)主管Alexander Krick稱,"我們的目標是設計一流的電動傳動系統(tǒng)。逆變器和軟件是這方面的關鍵組件?!?/p>
三菱電機發(fā)布了新車載功率模塊,特點是體積小,作為基本單元可并聯(lián)連接以根據EV車型增加載流能力。因此,單個產品可用于多個EV車型。雖然該產品只是在概念階段,但三菱電機計劃采用Si的RC-IGBT或SiC MOSFET制成成品。

SiC功率器件在汽車產品中脫穎而出。SiC定位為下一代功率半導體材料,可以實現(xiàn)比Si損耗更低的功率器件。通過采用SiC功率器件,xEV的逆變器將更小更輕,并可提高效率來延長續(xù)航里程。在相同的續(xù)航里程下,可以降低電池的容量,因此可以相應地降低成本。
盡管SiC本身比Si更昂貴,但由于這些優(yōu)勢,其在EV中的使用正在逐漸擴大。在功率半導體行業(yè),預計2025年后SiC的采用將迅速擴大,幾家大公司正在繼續(xù)投資擴大生產規(guī)模。
PCIM清晰地再現(xiàn)各大半導體企業(yè)對SiC的重視。
意法半導體擁有大量車用SiC功率器件,該公司強調,堅持IDM的策略,盡可能多地掌握包括碳化硅襯底、前工序晶圓制造、后工序封測和定制SiC功率模塊在內的整個制造鏈。目標是首先將晶圓材料的內部生產率提高到40%,并將加強其垂直整合系統(tǒng),以滿足對SiC功率器件的強勁需求。
2022年10月,意法半導體表示將在意大利建造一座價值7.3億歐元,年產超過37萬片的襯底項目,借此實現(xiàn)40%碳化硅襯底的自主供應。

安森美在展臺上展出了搭載SiC功率器件的賽車EV。該公司在PCIM期間推出最新一代1200V EliteSiC 碳化硅(SiC)M3S器件,助力電力電子工程師實現(xiàn)更出色的能效和更低系統(tǒng)成本。全新產品系列包括有助于提高開關速度的EliteSiC MOSFET和模塊,以適配越來越多的800V電動汽車的車載充電器(OBC)和電動汽車直流快充、太陽能方案以及能源儲存等能源基礎設施應用。
羅姆推出了其首個碳化硅功率模塊。該公司此前一直為汽車應用提供SiC功率器件,以分立產品見長,如今補齊模塊產品。

羅姆稱,新型模制SiC功率模塊通過“HSDIP20”和“DOT247”擴大了其封裝組合,內置最新的第4代SiC MOSFET。備有不同RDS(on)的750V和1200V器件?!癏SDIP”具有H橋(4in1)和三相全橋(6in1)配置,內置隔離功能,確保了應用的緊湊性。DOT247是一種獨特的半橋(2in1)配置封裝,在功率循環(huán)應力下具有更強大的性能。根據各自的條件,兩者都可以實現(xiàn)高達30kW的功率應用。
車用GaN功率器件也陸續(xù)展出
在PCIM上,GaN on Si器件提案層出不窮,主要針對三個應?領域:AC電源和服務器電源和?載充電器。?前主戰(zhàn)場是AC電源,然?,制造商預計未來?載充電器將?幅增?。
例如,美國GaN Systems(GaN Systems)宣布其GaN on Si器件將?于美國電動汽?初創(chuàng)公司Canoo量產電動汽?的?載充電器。

英諾賽科帶來了GaN晶圓和高中低壓30V-700V GaN芯片等多系列產品,并重點展示了面向消費電子、數據中心、汽車等不同應用領域的客戶案例及全鏈路氮化鎵解決方案。
注:部分內容引自日經xtech、各企業(yè)官網
來源:第一電動網
作者:NE時代
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