12月18日，據(jù)路透社獨家報道，中國科學(xué)家在深圳一處高度戒備的實驗室內(nèi)成功打造出一臺國產(chǎn)極紫外光刻機（EUV）原型機，于2025年年初完成，目前正處于測試階段。該設(shè)備幾乎占據(jù)了整個工廠車間面積，是中國半導(dǎo)體自主研發(fā)路線上的重要里程碑。

EUV光刻機是制造先進(jìn)芯片的核心裝備，能夠利用極紫外光刻蝕硅片上極細(xì)電路，是驅(qū)動人工智能、5G智能終端和未來軍事技術(shù)的關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施。目前全球成熟EUV技術(shù)被荷蘭ASML壟斷，其機器售價高達(dá)數(shù)億美元。

路透援引兩名知情人士消息稱，這一國產(chǎn)原型機由一支包括前ASML工程師在內(nèi)的團(tuán)隊研發(fā)，他們通過逆向工程方式參考并仿制ASML的EUV技術(shù)。該原型機已成功產(chǎn)生極紫外光，但尚未能夠制造出可用的芯片產(chǎn)品，這一關(guān)鍵能力仍在攻關(guān)當(dāng)中。

報道稱，中國已將芯片自主列為國家戰(zhàn)略重點，目標(biāo)是在2028年利用這套原型機實現(xiàn)芯片產(chǎn)出，但項目內(nèi)外人士認(rèn)為更現(xiàn)實的時間點可能落在2030年。盡管技術(shù)距離西方先進(jìn)設(shè)備仍有差距，尤其是在高精密光學(xué)系統(tǒng)上存在明顯不足，但這一原型機的完成表明中國在突破技術(shù)封鎖方面取得了實質(zhì)進(jìn)展。

此外，中國的這一研發(fā)行動是在美國及其盟友長期對中國實施出口管制背景下進(jìn)行的。美國政府多年來試圖限制先進(jìn)光刻設(shè)備及相關(guān)技術(shù)流入中國，以遏制中國在AI芯片及高端制造領(lǐng)域的發(fā)展。路透指出，這一原型機的出現(xiàn)可能意味著中國在擺脫外部技術(shù)依賴方面比外界普遍預(yù)期的要更快推進(jìn)。源文地址：網(wǎng)頁鏈接