12月30日，國產(chǎn)內(nèi)存廠商長鑫科技集團股份有限公司（長鑫科技）科創(chuàng)板上市申請獲上交所受理，邁出了IPO進程的重要一步。長鑫科技計劃通過此次IPO募集資金295億元，其中130億元將投入內(nèi)存（DRAM）技術(shù)升級項目，總投資額達180億元；75億元用于產(chǎn)線技術(shù)升級改造；90億元將用于內(nèi)存前瞻技術(shù)研究。

內(nèi)存和閃存（NAND）是消費電子產(chǎn)品中最關(guān)鍵的兩類存儲芯片。內(nèi)存為CPU、GPU等計算芯片提供臨時緩存空間，直接影響計算效率；閃存則構(gòu)成固態(tài)硬盤，為系統(tǒng)提供存儲空間。長期以來，全球存儲市場被三星、SK海力士和美光三家巨頭壟斷。長鑫科技和長江存儲作為國內(nèi)廠商，正在內(nèi)存和閃存兩個領(lǐng)域?qū)で笸黄?。長鑫科技此次IPO募資，有望加速其技術(shù)升級和市場競爭力提升。